作者：王超营[等]著

出版项：哈尔滨 : 哈尔滨工程大学出版社, 2014

载体形态：89页 : 图 ; 26cm

分类号：TN304.2

语种：中文

关键词：计算机模拟,应用,化合物半导体

内容简介

本书以硅锗异质结构外延生长过程中产生的部分位错为研究背景，采用分子模拟方法研究硅中部分位错的运动特性以及与其他缺陷的相互作用。