作者：孙霄霄，张丹著

出版项：北京 : 冶金工业出版社, 2018

载体形态：137页 ; 24cm

分类号：TB303

语种：中文

关键词：工程材料,结构性能

内容简介

本书采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对半导体材料Si、二元半导体化合物(BiI3、Li3Bi、SbI3、AsI3)和过渡金属化合物(Mo2BC、Mo3Al2C)在高压下的结构、力学和电子性质进行了系统的研究。