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研磨时间对SiC显微结构的影响

作者:李光辉

作者单位:

刊名:耐火材料

ISSN:ISSN1001-1935

出版年:2002-01-01

卷:

期:03

起页:135

止页:135

分类号:

语种:中文

关键词:

内容简介

SiO2 和石墨依靠碳热还原反应制备SiC的过程中 ,研磨时间和热处理气氛对形成的SiC的结构有重要的影响 ,国外学者对此进行了研究。实验选用纯度为 99.5 %的SiO2 粉末 (≤ 0 .0 38mm )和纯度为 99.5 %的石墨粉 (≤0 .14 7mm)为原料 ,然后在研磨机内用WC球磨细 ,选用石墨和氧化物的摩尔比为 4∶1以提供过量的碳 ,然后在氩气气氛中研磨不同的时间以获得不同机械活性的混合料。碳热还原反应在真空管式炉中进行 ,压力为 0 .0 9Pa ,热处理气氛分别采用静止氩气和流动氩气 (流量为 3m3 ·h-1) ,升温速率为 5 0℃·h-1,试样在 14 0 0~ 1…

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