作者：古亚军,李发亮,张海军,鲁礼林,张少伟

作者单位：武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室

刊名：硅酸盐学报

ISSN：0454-5648

出版年：2016-12-12

卷：45

期：1

起页：120-125

止页：

分类号：TQ174.1

语种：中文

关键词：氮化硅;催化氮化;镍纳米颗粒;密度泛函理论;

内容简介

采用化学原位还原法将Ni纳米颗粒均匀负载于Si粉表面,研究了Ni纳米催化剂用量对不同温度(1 2001400℃)时Si粉的氮化行为的影响及Si3N4粉体的形成及机理。结果表明:含2%(质量分数,下同)Ni纳米催化剂的样品1 350℃氮化2 h后,其中残留的Si含量仅为3%;Ni纳米催化剂的引入可以有效地促进Si3N4晶须的生成;密度泛函理论计算表明,Ni纳米颗粒催化剂可以促进N2分子在较低温度下解离为N原子,进而加快了Si粉的氮化。