作者：李心慰 曲殿利 李志坚 吴锋 徐娜

作者单位：辽宁科技大学 高温材料与镁资源工程学院 辽宁鞍山 114044

刊名：

ISSN：1001-1935

出版年：2011-01-01

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期：02

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语种：中文

关键词：

内容简介

    以硅灰、白炭黑、硅溶胶为硅源，炭黑为碳源，采用碳热还原法合成碳化硅晶须，通过XRD及SEM对合成产物的物相及形貌进行分析，探讨了合成温度（分别为1 400、1 450、1 500、1 550 ℃）、硅源、n（C）：n（SiO2）对合成碳化硅晶须的影响。结果表明：n（C）：n（SiO2）为2.4~3.6，合成温度为1 500 ℃，保温3 h时，硅溶胶与炭黑反应没有生成碳化硅晶须，硅灰、白炭黑与炭黑反应均生成碳化硅晶须；以硅灰为硅源合成碳化硅晶须的质量及数量明显优于以白炭黑为硅源合成碳化硅晶须；合成碳化硅晶须的最佳n（C）：n（SiO2）为3.3。