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Si/C 反应低温合成 SiC 晶须的机制研究

作者:梁鹏鹏,李红霞,王刚,韩建燊,吴吉光,郭俊华,杜鹏辉

作者单位:中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司,先进耐火材料国家重点实验室

会议录名称:第十七届全国耐火材料青年学术报告会

出版年:2020-10-12

起页:1

止页:5

总页数:5

馆藏号:

分类号:TQ175

语种:中文

会议名称:第十七届全国耐火材料青年学术报告会

会议地点:中国河南洛阳

会议时间:2020-10-12

会议主办者:中国金属学会、河南省科学技术协会和洛阳市人民政府

关键词:SiC 晶须合成,热力学计算,气相反应

内容简介

采用 Si 和石墨为原料,Ar 保护,于 1 350 ℃保温 5 h 合成 SiC 晶须,对生成物的分布状态、相组成和显微结构进行检测分析,结合热力学计算分析,研究了 Si/C 反应低温合成 SiC 晶须的机制。结果表明:1)Si 源和 C 源以气相的形式参与反应,低浓度的 Si 源更有利于合成高品质的 SiC 晶须;2)微量的 O2 对合成 SiC 的反应起到传质作用,Si 和 C 首先被 O2氧化为气相的 SiO 和 CO,气相的 SiO 和 CO 反应生成SiC 和 O2。

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