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Si/C反应低温合成SiC晶须的机制研究

作者:梁鹏鹏,李红霞,王刚,韩建燊,吴吉光,郭俊华,杜鹏辉

作者单位:中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司先进耐火材料国家重点实验室

会议录名称:第十七届全国耐火材料青年学术报告会

出版年:2020-10-12

起页:347-351

止页:

总页数:5

馆藏号:

分类号:TQ163.4;O784

语种:中文

会议名称:第十七届全国耐火材料青年学术报告会

会议地点:河南洛阳

会议时间:2020-10-12

会议主办者:中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司

关键词:SiC晶须合成;热力学计算;气相反应;

内容简介

采用Si和石墨为原料,Ar保护,于1 350℃保温5 h合成SiC晶须,对生成物的分布状态、相组成和显微结构进行检测分析,结合热力学计算分析,研究了Si/C反应低温合成SiC晶须的机制。结果表明:1)Si源和C源以气相的形式参与反应,低浓度的Si源更有利于合成高品质的SiC晶须;2)微量的O2对合成SiC的反应起到传质作用,Si和C首先被O2氧化为气相的SiO和CO,气相的SiO和CO反应生成SiC和O2。

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