作者：韩磊,王军凯,李发亮,王慧芳,张海军

作者单位：武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室

会议录名称：2017?武汉耐火材料学术年会

出版年：2017-10-15

起页：8

止页：

总页数：1

馆藏号：

分类号：TQ174.7

语种：中文

会议名称：2017?武汉耐火材料学术年会

会议地点：湖北武汉

会议时间：2017-10-15

会议主办者：中国硅酸盐学会

关键词：Si3N4/SiC;多孔陶瓷;发泡/注凝;催化氮化;Si3N4晶须;

内容简介

以商业Si和SiC细粉为原料,以其中的杂质Fe为催化剂,采用催化氮化的方法在1473:K/2 h条件下成功制备了Si3N4（w）/SiC多孔陶瓷。结果表明,所制备的Si3N4（w）/SiC多孔陶瓷的孔隙率可达71.53?.50%,其抗折强度和耐压强度分别为5.60監.69 MPa和12.37?.05 MPa;多孔陶瓷中球形大气孔的尺寸为8400μm,小气孔的尺寸为0.035μm。在此基础上,采用密度泛函理论计算并研究了Si3N4晶须生长机理。结果表明,N2分子吸附在Fe催化剂上之后,其N≡N键长被拉长,结合强度被减弱,从而起到促进Si氮化的作用。