作者：董博,邓承继,余超,祝洪喜,丁军

作者单位：武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室

会议录名称：2017?武汉耐火材料学术年会

出版年：2017-10-15

起页：18

止页：

总页数：1

馆藏号：

分类号：TQ133.1

语种：中文

会议名称：2017?武汉耐火材料学术年会

会议地点：湖北武汉

会议时间：2017-10-15

会议主办者：中国硅酸盐学会

关键词：Al4SiC4;合成;晶粒生长;K

内容简介

以铝粉、硅粉和炭黑为原料,分别引入质量分数O%、2%、4%和6%的K2CO3外加剂,经1700℃固相反应合成Al4SiC4材料,并研究了K 对固相反应合成Al4SiC4晶粒生长的影响。结果表明:随掺K2CO3量的增加,Al4SiC4中I（101）与I（0010）之间的比值逐渐增大,（101）面和（0010）面对应衍射峰向高角度偏移,晶面间距变小,K 并未发生固溶。伴随K2CO3引入量的增加,高温下形成SiO2液相,促进试样内部物相的传质,六方片状Al4SiC4晶粒生长更完全,晶粒尺寸增加。