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一维碳化硅纳米材料的研究进展

作者:陈建军

作者单位:浙江理工大学材料工程中心

会议录名称:第17届全国复合材料学术会议

出版年:2012-10-01

起页:16-19

止页:

总页数:4

馆藏号:

分类号:TB383.1

语种:中文

会议名称:第17届全国复合材料学术会议

会议地点:中国北京

会议时间:2012-10-01

会议主办者:北京中航时代文化传播有限公司

关键词:一维碳化硅纳米材料;制备;性能;应用

内容简介

介绍了一维碳化硅(SiC)纳米材料的各种制备方法、物理性能及应用研究进展。制备方法方面,着重介绍了模板生长法、碳热还原法、化学气相沉积法和有机前驱体热解法。综述了一维SiC纳米材料的电学、光学和力学性能及其在纳米光电子器件、纳米复合材料和平板显示器等领域的应用前景,指出了目前一维纳米SiC材料研究存在的问题,并展望了一维SiC纳米材料研究的发展趋势。

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