申请号：CN201110181926.1

申请日：2011-06-30

公开(公告)号：CN102233606A

公开(公告)日：2011-11-09

主分类号：B28B3/00

分类号：B28B3/00;C30B29/20

颁证日：

优先权：

申请(专利权)人： 张君芳

地址： 332900 江西省九江市经济开发区出口加工区外锦绣大道1号

发明(设计)人： 张君芳

国际公布：

进入国家日期：

专利代理机构： 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115

代理人： 施秀瑾

内容简介

本发明的目的在于提供一种氧化铝单晶块状原料的制造方法,尤其是一种氧化铝单晶块状原料制备而又不需烧结的制造方法,具体的做法是将氧化铝粉在特制的模具中经过冷等静压加工制备成填装性能良好的块状原料后,直接放入单晶炉坩埚中用作氧化铝单晶体生长的初始原料。该块状原料的纯度为99.999%,且该块状原料的抗压参数为0.1-50MPa；经冷等静压制备成块状后,放入氧化铝晶体生长炉坩埚中。采用本发明涉及的氧化铝粉经过冷等静压制备成块料,可以显著改善氧化铝粉被氧化产生的各种负面影响。改善的效果主要体现在氧化铝粉经冷等静压成块状后可以存放半年以上,不会因氧化膜的产生而影响衬底材料的质量。