您的当前位置:首页 > 图书馆 > 专利信息 > 正文

氮化硅质烧结体及其制造方法,和使用其的耐熔融金属用构件、耐磨损用构件

申请号:CN200480024471.0

申请日:2004-08-25

公开(公告)号:CN1842507

公开(公告)日:2006-10-04

主分类号:C04B35/591(2006.01)

分类号:C04B35/591(2006.01)

颁证日:

优先权:2003.08.26 JP 301102/2003; 2003.11.27 JP 398234/2003

申请(专利权)人:京瓷株式会社

地址:日本京都府

发明(设计)人: 大川善裕;织田武广

国际公布:WO2005/019133 日 2005.03.03

进入国家日期:

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人: 朱丹

内容简介

本发明提供一种氮化硅质烧结体,具有氮化硅的结晶和晶界层,所述晶界层包含第1金属硅化物(由Fe、Cr、 Mn以及Cu中至少一个的金属构成的金属硅化物)、第2金属硅化物(由W、Mo中至少一个的第2金属元素构成的金属硅化物)、第3金属硅化物(由含有第1金属元素和第2金属元素的多个金属成分构成的金属硅化物)中至少两种,且具有第1~第 3金属硅化物中至少两个相互相接的邻接相。

无资料下载

所需耐材币:0

相关图书
广告招租