作者：杨东兴,康飞宇,郑永平

作者单位：清华大学材料科学与工程系

刊名：炭素技术

ISSN：1001-3741

出版年：2000-04-30

卷：

期：2

起页：6

止页：10

分类号：TQ175

语种：中文

关键词：石墨层间化合物,膨胀石墨,硫含量,膨胀容积

内容简介

采用化学氧化法在浓硫酸与双氧水混合液中合成了H2SO4-GIC ,研究了插层工艺参数如双氧水浓度、双氧水与浓硫酸的配比以及水洗液的pH值、烘干温度、膨化温度等对膨胀容积和残余硫含量的影响 ,同时也对整个插层机理进行了探讨 ,得到了制造低硫膨胀石墨的合理工艺参数。