作者：涂文懋,米国民,曾宪滨

作者单位：武汉工业大学

刊名：碳素

ISSN：

出版年：1994-06-21

卷：

期：2

起页：5

止页：

分类号：TQ175.714

语种：中文

关键词：可膨胀石墨,石墨层间化合物,有害元素

内容简介

通过ＧＩＣ合成工艺实验，对Ｈ２ＳＯ４－ＧＩＣ的有害元素Ｓ进行了分析研究，找出了影响含硫量的因素、提出了具有最低含硫量的工艺条件，并得出了Ｈ２ＳＯ４－ＧＩＣ中硫的分布情况。