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B4C陶瓷中原位生成TiB2及其对力学性能的强化机制

作者:姚万凯,鄢俊兵,李享成,陈平安,朱颖丽,朱伯铨

作者单位:武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉新芯集成电路制造有限公司

刊名:硅酸盐学报

ISSN:0454-5648

出版年:2022-08-12

卷:50

期:9

起页:2414-2421

止页:

分类号:TQ174.758.12

语种:中文

关键词:放电等离子体烧结;碳化硼;二硼化钛;力学强度;

内容简介

以 TiO2为烧结助剂,采用反应烧结法在 B4C 陶瓷中原位生成 TiB2,制备出致密的 B4C 陶瓷,并对其强化机制进行了分析。结果表明:随着 Ti O2添加量的增加,B4C 陶瓷的致密度和抗弯强度先增大后减小,断裂韧性不断增大。当 Ti O2添加量为 5% (质量分数)、烧结温度为 1 700 ℃时,B4C 陶瓷致密度达到 99.6%;当 TiO2加入量为 15%时,B4C 陶瓷的 Vickers硬度为 36.0 GPa,断裂韧性为 4.38 MPa·m1/2,抗弯强度为 405 MPa,综合性能最优。原位生成的 TiB2抑制了 B4C 陶瓷晶粒长大,消除了裂纹尖端应力,使裂纹产生偏转和分叉,对 B4C 陶瓷起到细晶强化和增韧作用。

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