作者：王瑶1,2陈旸1,2乔宁1,2李欣3张文婷1,2

作者单位：1. 华北理工大学材料科学与工程学院2. 河北省无机非金属材料重点实验室3. 华北理工大学建筑工程学院

刊名：材料工程

ISSN：1001-4381

出版年：2017-10-17

卷：45

期：10

起页：59-64

止页：

分类号：O613.72;O784

语种：中文

关键词：SiC晶须;热处理温度;基体表面状态;生长机理;

内容简介

以高含氢硅油为原料,在石墨基体上生长出SiC晶须。主要研究石墨基体的表面状态和加热温度对SiC晶须生长的影响,探究SiC晶须形成过程。影响SiC晶须形核和生长的主要因素为热处理温度,随着热处理温度的升高,SiC晶须的结晶产量也相应增高。石墨基体的表面状态对SiC晶须的形成也有一定的影响,随着石墨基体缺陷提供形核点的增多,SiC晶须的结晶产量提高,并且出现相互搭接的现象。SiC晶须的形成过程分为形核和生长两个部分,低温形核,高温生长,遵循VLS(气-液-固)生长机理。