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一种不烧Si-SiC窑具及其制备方法

申请号:CN202311263799.9

申请日:2023-09-27

公开(公告)号:CN117401988A

公开(公告)日:2024-01-16

主分类号:C04B35/66

分类号:C04B35/66;C04B35/565;F27D5/00

颁证日:

优先权:

申请(专利权)人:北京科技大学;中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司

地址:100083 北京市海淀区学院路30号

发明(设计)人:李勇;韩基铄;李红霞;马晨红

国际公布:

进入国家日期:

专利代理机构:北京市广友专利事务所有限责任公司

代理人:张仲波

内容简介

摘要: 一种不烧Si-SiC窑具及其制备方法,属于耐火材料领域。所述窑具由如下原料组成:75~97wt%的碳化硅、3~25wt%的硅粉,外加3~5wt%的酚醛树脂或糊精作为结合剂。将上述原料与结合剂经配料并均匀混合后,机压成型并于200℃~300℃干燥12h~48h,制得不烧Si-SiC窑具。本发明针对现有技术中Si-3N-4结合SiC窑具在高温含氧气氛条件下服役时发生氧化进而导致窑具表面开裂、颗粒脱落等问题使其无法正常使用,将Si直接作为原料与SiC结合,使其在服役过程中利用Si的高亲氧性,优先发生氧化并逐渐转化为SiO-2-SiC窑具,解决了SiC基体氧化所带来制品开裂的问题,延长窑具的使用寿命。相较于目前Si-3N-4结合SiC窑具其复杂的制备工艺,本发明省去了传统窑具的预烧结工序,实现了绿色节能化制备SiC质窑具。

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所需耐材币:0

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