申请号：CN202410407120.7

申请日：2024-04-07

公开(公告)号：CN118324507A

公开(公告)日：2024-07-12

主分类号：C04B35/20

分类号：C04B35/20;C04B35/103;C04B35/81;C04B35/622;C04B35/626

颁证日：

优先权：

申请(专利权)人：辽宁科技学院；

地址：117000 辽宁省本溪市高新技术产业开发区香槐路176号

发明(设计)人：祁欣;罗旭东;陶莹;赵京明;曲涛;李思南;孟祥然

国际公布：

进入国家日期：

专利代理机构：鞍山顺程商标专利代理事务所(普通合伙)

代理人：范伟琪

内容简介

摘要： 本发明公开了一种SiC晶须增强的方镁石-镁橄榄石-碳化硅-碳耐火材料及其制备方法,方镁石-镁橄榄石骨料的制备；将高硅菱镁矿以3～8℃/min的速率升温至800～1000℃,保温2～4h,制备高硅菱镁矿熟料,破碎、过筛,得到180～325目高硅菱镁矿熟料细粉；将多晶硅废料在110～150℃条件下干燥24～36h,破碎、过筛,得到180～325目多晶硅废料细粉。本发明方法资源利用率高；方镁石-镁橄榄石-碳化硅-碳耐火材料中单质碳含量很低,可以减少对钢水的增碳,适用于低碳钢和超低碳钢的冶炼；本发明方法制备的SiC晶须增强的方镁石-镁橄榄石-碳化硅-碳耐火材料抗热震性好、抗渣侵蚀性好、有效提高耐火材料的使用寿命。