作者：许小红,宋波,毛裕文

作者单位：山西师范大学化学系!临汾,041001,北京科技大学理化系,北京科技大学理化系

刊名：耐火材料

ISSN：ISSN1001-1935

出版年：1997-01-01

卷：

期：05

起页：260

止页：262

分类号：

语种：中文

关键词：氧化锆;;碳化硅;;显微结构;;电阻率

内容简介

热压烧结的氧化锆-碳化硅复合材料不仅大大提高了材料的致密度，而且能使SiC在以ZrO2为主晶相的复合材料中呈网络分布，从而使SiC有较好的联通性，降低了复合材料的室温电阻率。而在常压烧结条件下，材料致密度低，SiC的联通性也较差。