作者：温光宇; 徐永东; 成来飞; 张立同

作者单位：西北工业大学凝固技术国家重点实验室

刊名：耐火材料

ISSN：ISSN1001-1935

出版年：2004-01-01

卷：

期：05

起页：336

止页：338

分类号：

语种：中文

关键词：Si3N4-SiC; 陶瓷材料; 铜冶炼; 抗铜侵蚀

内容简介

采用坩埚法研究了Si3 N4-SiC陶瓷材料在空气气氛中的抗铜侵蚀性能 ,侵蚀温度为 1130℃ ,时间为 2 5h ;选用铜熔炼用Si3 N4-SiC陶瓷塞棒在工厂实际生产环境中进行氮气气氛中的抗铜侵蚀试验 ,试验温度为 1130～ 115 0℃ ,时间是 4 0 0h。试验完成后 ,用XRD分析坩埚试样侵蚀层的相组成 ,用扫描电子显微镜观察坩埚试样侵蚀层的显微结构。结果表明 :在氮气气氛中 ,铜熔体含氧量低 ,Si3 N4-SiC材料具有优异的抗侵蚀性能。空气气氛中 ,铜熔体含氧量高 ,Si3 N4-SiC材料的抗侵蚀性能差。这是由于铜熔体中存在大量的Cu2 O ,促使Si3 N4快速氧化 ,生成SiO2 、N2 和Cu ,SiO2 熔入铜熔体中所致。