作者：薄鑫涛

作者单位：

刊名：热处理

ISSN：1008-1690

出版年：2018-04-25

卷：33

期：2

起页：55

止页：

分类号：TQ163.4

语种：中文

关键词：

内容简介

碳化硅(SiC)分子量40.7,相对密度3.22。其批量生产是将焦炭和硅砂(>99.4%SiO2)充分混合,有时也加入锯屑和盐或其他黏结剂,然后放入电炉中烧结而成,电流通过固定于炉两端的电极和石墨芯,烧结温度达2 200℃以上,在此高温下在硅砂和焦炭的混合物中产生出碳化硅晶体,β -碳化硅(立方系)在1 400～1 800℃时形成,α-碳化硅(六方系)在高于1 800℃下形成。如使用了锯屑,它燃烧完后可使生成