作者：朱辉1,2李轩科1,2,3董志军1,2丛野1,2袁观明1,2崔正威1,2李艳军1,2

作者单位：1. 武汉科技大学煤转化与新型炭材料湖北省重点实验室2. 武汉科技大学耐火材料和冶金国家重点实验室3. 湖南大学先进炭材料研究中心

刊名：化工新型材料

ISSN：1006-3536

出版年：2018-04-15

卷：46

期：4

起页：197-200

止页：

分类号：TQ343.6

语种：中文

关键词：SiC晶须;碳源结构;乱层堆垛石墨;晶粒尺寸;

内容简介

通过高温热蒸发硅粉工艺,以鳞片石墨、膨胀鳞片石墨、纳米炭黑和微米炭黑为碳源制备SiC晶须,研究了碳源结构对SiC晶须生长的影响。采用X射线衍射、扫描电镜和透射电镜等手段对不同碳源和制得样品的微观形貌和结构进行表征。结果表明:SiC晶须更容易在膨胀鳞片石墨和纳米炭黑表面生长,碳源具有乱层堆垛石墨结构和合适的晶粒尺寸是SiC晶须生长的决定性因素。