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二氧化硅源对氮化反应合成氧氮化硅的影响

作者:聂建华,姜晟,文晋,蔡曼菲,梁永和,尹玉成

作者单位:武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室

刊名:陶瓷学报

ISSN:2095-784X

出版年:2018-02-07

卷:38

期:6

起页:826-830

止页:

分类号:TQ127.2

语种:中文

关键词:氧氮化硅;二氧化硅源;高温氮化;

内容简介

以单质Si和不同的二氧化硅(Si O2含量分别为99.999%的高纯石英玻璃、99.70%的分析纯二氧化硅、99.14%的工业石英、97.67%的微硅粉)为原料,于1460℃下高纯氮气中反应合成Si2N2O,用XRD、SEM和TEM等方法研究了合成产物的相组成和形貌特征。结果表明:不同的二氧化硅源高温氮化合成的试样中Si2N2O的含量均达到91%以上;合成的试样中Si2N2O的形貌均为柱状或片层状,合成试样中Si2N2O的各元素的原子比也接近Si2N2O的理论原子比。

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