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无压烧结和气压烧结对氮化硅陶瓷性能的影响

作者:满延进1王伟伟2王营营2刘胜1王晓东2韩卓群3宋涛2李伶2

作者单位:1. 北京动力机械研究所2. 山东工业陶瓷研究设计院有限公司3. 济南大学材料科学与工程学院

刊名:陶瓷学报

ISSN:2095-784X

出版年:2023-12-30

卷:

期:6

起页:1183-1189

止页:

分类号:TQ174.6

语种:中文

关键词:氮化硅;无压烧结;气压烧结;强度;氧化;

内容简介

以氮化硅粉末为主要原料,分别采用无压烧结和气压烧结的方式制备氮化硅陶瓷,研究了无压及气压烧结对氮化硅陶瓷的硬度、密度、强度及韧性的影响,研究了1300℃氧化5 h对氮化硅陶瓷抗氧化性能和表面微观形貌的影响。结果表明:采用无压及气压烧结制备的氮化硅陶瓷力学性能数值相近,但是气压烧结制备的氮化硅陶瓷性能相对稳定,同时展现出更好的断裂韧性,断裂韧性平均值为12.6 MPa·m1/2。1300℃氧化5 h,Si3N4表面被氧化生成玻璃相的SiO2并存在有明显裂纹。相比无压烧结,气压烧结展现出更好的抗氧化性能及高温强度性能,其氧化增重率和弯曲强度平均值分别为0.014%和304.2 MPa。

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