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ISSN：1001-1935

出版年：1900-01-01

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语种：中文

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内容简介

在高炉的炉缸部位，一般采用平板式铸铁或铸铜冷却壁，内衬用炭砖砌筑，或是炭砖内砌筑一层陶瓷杯砖。在冷却壁与砖衬之间有厚度为80 mm左右的炭素捣打料层。而一般炭素捣打料的热导率较低，从而成为高炉炉体冷却的瓶颈。为了提高炭素捣打料的导热性，武汉科技大学的研究人员以SiO2微粉、熔融石英粉、金属硅粉、纳米SiO2作为硅源，在炭素捣打料中生成碳化硅晶须以增强炭素捣打料的导热性，并比较几种不同硅源对碳化硅晶须生成的影响。
　　本试验以废焦粉、鳞片石墨作为主要原料，改性中温沥青粉做结合剂，焦油及蒽油为溶剂，分别外加SiO2微粉、熔融石英粉、金属硅粉及纳米SiO2。将上述原料按表1所示配比称料、混料。将混好的料在液压机上压制成φ36 mm×36 mm的圆柱形试样。将试样在220 ℃ 24 h下热处理，然后在高温炉中分别于1 350及1 550 ℃保温3 h埋炭烧成，。
　　按照标准测定试样体积密度、显气孔率、常温耐压强度。采用激光导热仪测定试样热导率，用扫描电子显微镜观察试样断面的显微结构。
表1  基本配比（w）/%
试样  配料  焦炭&nb