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ISSN：1001-1935

出版年：1900-01-01

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语种：中文

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内容简介

    关于再结晶碳化硅（R-SiC）的制备工艺、抗氧化性能等方面已有一定的研究，但是有关R-SiC抗热震性能的研究很少。R-SiC作为理想的高温结构材料和耐火材料，在使用过程中常会经历急热急冷的过程，抗热震性是其重要的性能。相关研究表明，碳化硅陶瓷的抗热震性能与其原料SiC粉体的粒径密切相关，但影响如何还没有统一的结论；且报道也不多。为了提高R-SiC陶瓷的抗热震性，湖南大学的研究人员研究了粗SiC颗粒对R-SiC抗热震性的影响，并分析了其热震损伤机制。
    试验原料为不同粒径的SiC粉，纯度≥98％。将不同粒径SiC粉按表1所示配比称量配料，加入适量的水及结合剂，在研钵中混合均匀后在100 MPa压力下压制成10 mm×8 mm×60 mm的试样，经干燥后置于真空石墨炉中进行烧结，烧结温度2 400 ℃，烧结气氛为氩气，保温90 min。
表1  不同粒径试样的颗粒配比（w）/%
试样 SiC粉
 250 μm 100 μm 50 μm