作者：

作者单位：

刊名：

ISSN：1001-1935

出版年：1900-01-01

卷：

期：

起页：

止页：

分类号：

语种：中文

关键词：

内容简介

    SiC由于具有高硬度、低密度和高抗氧化性而广泛用于铝电解槽等工业。然而，由于SiC具有典型的共价键Si-C与较低的自扩散系数，从而成为最难烧结的多晶材料。
    最近有研究关注制备纳米级SiC材料，即通过减小材料的粒径来改善材料的性能，提高其强度与耐磨性，此外，减小粒径还可以使SiC材料具有超塑性。韩国的研究人员选用Al4SiC4为添加剂，通过等离子烧结法（SPS）研究了低温合成纳米级SiC材料的可行性，以期开发出铝电解槽侧壁内衬所用的高抗侵蚀性材料。
    试验所用主要原料有：合成的Al4SiC4粉、市售β-SiC纳米粉（平均粒径30 nm，游离碳含量~3%）。将β-SiC纳米粉与含2%（质量分数，下同）或10%合成Al4SiC4粉的乙醇悬浮液混合，采用行星式磨机研磨24 h。为了减少研磨过程中引入的杂质含量，研磨罐和研磨球均采用SiC质。将研磨后的浆料在真空干燥器中60 ℃下干燥24 h，并不停搅拌。将干燥后的粉料过150 μm孔的筛。
  &