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ISSN：1001-1935

出版年：1900-01-01

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语种：中文

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内容简介

    多孔Si3N4陶瓷的制备主要以氮化硅粉为原料，以Y2O3、Al2O3、Lu2O3、Yb2O3等作为烧结助剂，通过干压、流延、冷冻−干燥、凝胶注模等成型工艺制备出多孔坯体，在1 700 ℃以上，0.3~1.0 MPa下烧结，可得到高气孔率、高强度的多孔Si3N4陶瓷。研究发现，低温液相烧结助剂虽然能实现低温烧结，但是Si3N4材料高温应用受到限制。中科院上海硅酸盐研究所的研究人员以Y2O3为烧结剂，通过Si粉氮化反应烧结来制备多孔氮化硅陶瓷，考察了不同Y2O3添加量在不同升温制度下对Si的氮化率的影响。
    试验原料：Si粉(纯度>99.9%，粒径D50为1.8 μm)和Y2O3(纯度>99.99%，平均粒径5.0 μm)。不同配比的Si粉和Y2O3以Si3N4研磨球为球磨介质，料球比为1:2，以无水乙醇为分散介质在塑料瓶中球磨36 h，然后烘干过筛(154 μm)。通过控制粉体的成型压力，可得到不同密度和气孔率的Si粉坯体。将坯体放入碳管炉内氮化反应烧结，考察不同的升温制度对氮化反应的