为制备同时具有高气孔率和高强度的硅结合SiC多孔陶瓷，以α-SiC粉、单质Si粉及TiO2粉为主要原料，在氩气气氛下经1 400 ℃保温3 h制备SiC多孔陶瓷，探究TiO2添加量（质量分数分别为0、2%、4%、8%）对材料物相组成、显微形貌、孔径分布及主要物理性能的影响。结果表明：随TiO2添加量的增加，单质Si的衍射峰逐渐消失，材料中检测到Ti3O5及TiSi2物相，伴随着新相的生成，SiC颗粒间结合更加紧密，其显气孔率及平均孔径减小，力学性能显著提升。当TiO2添加量为8%（w）时，材料具有优异的综合性能，其显气孔率、常温抗折强度及平均孔径分别为33.6%、29.6 MPa和0.27 μm。
