作者：范亚娟

作者单位：中钢集团洛阳耐火材料有限公司

刊名：耐火与石灰

ISSN：1673-7792

出版年：2018-10-10

卷：43

期：5

起页：21-22+35

止页：

分类号：TQ127.2;TB383.2

语种：中文

关键词：氮化硅薄膜;化学气相沉积法（CVD）;反应离子刻蚀;

内容简介

氮化硅薄膜刻蚀是制造微电子器件的关键技术之一,刻蚀的效果直接影响电子元器件的性能。采用反应离子法对氮化硅薄膜进行了刻蚀,并借助原子力显微镜（AFM）、光学显微镜（OM）、表面轮廓仪表征方法对刻蚀的氮化硅薄膜进行分析。结果表明:反应气体为NH3∶Si H4=40∶10时,制备出的氮化硅薄膜的厚度均匀,薄膜颜色一致;氮化硅薄膜的最佳刻蚀时间为3min,此时氮化硅薄膜的表面较平整,粗糙度较小,氮化硅薄膜与Si基底表面的分界线明显。